“TiO2厚度和电解质浓度对染料敏化太阳能电池光电性能的影响”,D.L. Domtau, J Simiyu, E. O Ayieta, L. O Nyakiti, B. Muthoka, J. M Mwabora,表面材料学报,24 (05),1750065 (2017)
“等离子体增强的太赫兹光探测石墨烯”,蔡晓明,A. B. Sushkov, M. M. Jadidi, L. O. Nyakiti, R. L. Myers-Ward, D. K. Gaskill, T. E. Murphy, M. S. Fuhrer, H. D. Drew,纳米材料,15(7),4295-4302(2015)。
“石墨烯在SiC(1000 -1)上生长的挑战:衬底效应、氢蚀刻和生长环境”,Z. R Robinson, G. G. Jernigan, M. Currie, J. K. Hite, K. M. Bussmann, L. O Nyakiti, N. Y Garces, A. Nath, M. V. Rao, V. D. Wheeler, R. L. Myers-Ward, J. A. Wollmershauser, B. N. Feigelson, C. R. Eddy, D. K. Gaskill,碳,81,73-82 (2015)
外延石墨烯的水亲和性:层厚度的影响。朱斯卡,c.e.;应,诉;Munz m;惠勒,v.d.;纽约州尼亚基提;迈尔斯-沃德,r.l.;加斯基尔,d.k.;李建军,李建军,李建军,等。
“外延石墨烯的水亲和性:对层厚的影响”,C. E. Giusca, V. Panchal, M. Munz, V. D. Wheeler, L. O. Nyakiti, R. L. Myers-Ward, D. K. Gaskill, O. Kazakova,材料工程,2 (2015)DOI: 10.1002 / admi.201500252
“石墨烯纳米带场效应晶体管在SiC衬底上的应用”,黄卫生,赵平,K. Tahy, l.o. Nyakiti, V. D. Wheeler, R. L. Myers-Ward, C. R. Eddy Jr ., D. K. Gaskill, J. A. Robinson, W. Haensch,邢洪光,A. Seabaugh, D. Jena,应用物理学报,39 (2015)
“基于石墨烯光热电效应的室温太赫兹敏感探测”,蔡晓明,A. B. Sushkov, R. J. Suess, M. M. Jadidi, G. S. Jenkins, L. O. Nyakiti, R. L. Myers-Ward, R. L. Yan, D. K. Gaskill, T. E. Murphy, H. D. Drew和M. S. Fuhrer,自然纳米技术9,814-819(2014)。[影响因子36.64]
“台阶边对n型4H-SiC和外延石墨烯垂直异质结中势垒高度和接触面积的影响”,MJ Tadjer, TJ Anderson, RL Myers-Ward, VD Wheeler, LO Nyakiti, Z Robinson, CR Eddy Jr, DK Gaskill, AD Koehler, KD Hobart, FJ Kub,应用物理学报,104,(7):073508 (2014)
“氧官能外延石墨烯的等离子体化学改性”,SC Hernández, VD Wheeler, MS Osofsky, GG Jernigan, VK Nagareddy, A Nath, EH Lock, LO Nyakiti, RL Myers-Ward, K Sridhara, AB Horsfall, CR Eddy Jr, DK Gaskill, SG Walton,表面涂层技术,2014
“用第一原理定向弹性理论和扫描隧道显微镜解读扭曲双层石墨烯的膜振幅和三轴应力”,M Neek-Amal, P Xu, D Qi, PM thiibado, LO Nyakiti, VD Wheeler, RL Myers-Ward, CR Eddy Jr, DK Gaskill, FM Peeters,物理学家。Rev. B 90, (6) 064101 (2014)